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  • 《现代电子技术》2006年第16期摘录:朱文龙等:一个自偏压互补折叠式

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正文摘录:

朱文龙等:一个自偏压互补折叠式共源共栅放大器的设计减小,由于V。的减小,%漏极电压会减小。一般情况下,所有的晶体管都会工作在饱和区。这个自偏压共源共栅放大器可以使用单电源供电方式。因而,有关偏置的面积和功耗会减小。此外,由于这种偏置方案只取决于器件的宽长比,工作点对于生产过程的灵敏度也大大减小。这个方案的低频增益为A。,一G。R。。这里G。是输入级的所有跨导之和,可以得出G。一G。+G,。一G。:+Gm:。。R。是从%或者Mg漏端看进去的小信号电阻,他是g。,R。R。和gm。R。。R。。的并联。因而低频增益可以写成A。一(g。2+g。2。)(g。7RDs5RDs7Ilg。9RDs9RDsll)130400、.\┻≮1\:\^‘\┻┻l┗┻┻┻┻┻┛O一20—40、-60、\}‘一B0’~P10020\40、160、180┻┻┗┻┻┻┻┻┻┛图4幅频特性和相频特性曲线设计结果用TSMC0.35tLmCMOS的工艺模型进行仿真。运放在V。。一2.4V,大负载电容20pF条件下的直流开环增益为72dB,单位增益带宽是72MHz,相位裕度为45.5。,功耗为3.6mw。图4为其幅频及相频特性曲线。仿真数据表明,这个自偏压共源共栅放大器方案比传统的共源共栅放大器有很大的优势,特别是对于低压高速的应用场合。4结语本文利用一个自偏压共源共栅结构实现了一个适用于低压高速场合的放大器。这个结构的主要特点是自偏压配置和低电压操作。这个方案消除了多个外部的偏置电压和相关的电路。因而与偏置有关的芯片面积和功耗可以大大减小。此外,他的工作点对与生产过程的灵敏度也减小。由于使用了宽摆幅共源共栅电流镜,他的供电电压可以减小到1.8V。这个方案只要经过简单的改变就可以组成全差分或增益自举放大器。这个结构可以很好地使用在宽带、快速建立时间和低压的运算放大器中。参考文献Eli付永朝,杨银堂,朱樟明,等.一种基于前馈补偿技术的高性能CMOS运算放大器[J].电子器件,2004,27(1):27—30.I-2]BazesM.TwoNovelFullyComplementarySelf—biasedCMOSDifferentialAmplifiersEJ].IEEEJournalofSolid—StateCircuits,1990,26(2):165—168.[3]SackingE,GuggenbuhiW.High—swing,High—impedanceMOSCascodeCircuit[J].IEEEJournalofSolid—StateCir—cults,1991,25(1):289—298.[4]SongBG.A1.8VSelf—biasedComplementaryFoldedCascodeAmplifier.E5]毕查德·拉扎维.模拟CMOS集成电路设计EM].西安:西安交通大学出版社,2003.作者简介朱文龙男,1982年出生,福建,硕士研究生。主要从事集成电路及半导体器件的设计。黄世震男,硕士生导师。主要从事集成电路的设计方向的研究。’’…’…·…‘…’…’…·…‘…‘…·…·…·…’…·…·…··……·…·…·…·…·…·…-…·…·…-…-…·…·…·…·…t…·…·…·…·…·…·…·…·…-…-…·….…·…·-…(上接第3页)参考文献LMj·JohnWileyandSons,1997.[1]BultK,GeeJenGJGM.AFast—settlingCMOS0pAmp1-42Oj。。Choksi,c。。leyLR·AnalysisofSwitched—CapacitorforSCCircuitswith90—dBDCGainEJ].IEEEJournalsolidco““o“一ModeF。edbackcircuit[J]·IEEETrans·Cireuits~StateCircuits,1990,25(6):1379—1384.SY。t·,2003,50(12)·[2]Yangw,KellyD,MehrI,Pfnz.A3一v340—mw14一b[5]B。h。。dRazavi.D。。ign0fAnalogcMOSIntegratedCircuits75一Msample/sCMOSADCwith85一dBSFDRatNyquist[M]·NewYork:McGraw—HillCompanies,2001·Input[J].IEEEJournalSolid—StateCircuits,2001,36(12):[6]吴宁,吴建辉,张萌,等·用于高速高分辨率ADc的CMOS1931—1936.全差分运算放大器的设计[J]·电子器件,2005,28(1):[3]J。hnsD,MartinK.Design。fAnal。gIntegratedCircuits150一153·作者简介杨鑫男,1980年出生,山西芮城人,硕士研究生。主要研究方向为模拟集成电路设计,流水线模数转换器。李挥男,1964年出生,广东汕头人,博-2“,副教授,硕士生导师。主要研究方向为视频编解码、宽带交换理论、通信系统及芯片设计.

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