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正文摘录:

2sD315^驱动羹块、——·—’，——一外部电力嚣件电荷，并且栅极氧化层很脆弱，仅能承受±20V的耐压，容易造成栅源极间的击穿，使IGBT损坏，在实际电路中采用了±15V的栅源偏压，从而提高了IGBT的短路耐量。·为改善控制脉冲的前后沿陡度和防止振荡，减小IGBT集图12SE)315A模块电极大的电压尖脉冲，根据该模块的使用手册内部结构图合理选择栅极的串联电阻，既可获得良好的驱动脉冲，又控制了IGBT通断状态变化的过渡时问。·用外接的电阻K来定义功率管导通时的管压降，当大于定义的最大管压降时，监测电路便输出故障报警信号，并关断功率管，从而保护了IGBT。·当给驱动模块供电的电源电压过低时，则会影响驱动电路的可靠性，监控电路便向模块内部发送故障信号，使整个模块处于封锁状态，保护了系统的安全。这里，模块的工作状态是由模块上的两路SO输出引脚的电平所表示，并经过逻辑关系接入到保护电路中实现状态检测。逝}lj实铡该驱动模块有两种工作方式：直接方式和半桥方式。当驱动器工作在直接方式时，驱动器的驱动通道之间没有联系，两个通道总是同圈2驱动模块应用电时被驱动。而在半桥方式下，MOD输入端接珀GND，InA输入PWM信号，lnB输入使能信号(高电平有效，低电平将所有通道封锁)。由于两个状态输出端SO，和SO。接在一起，所以两个驱动通道输出同一故障信号。死区时间是由模块上栏目编辑I韩汝水IRc，}IIRC，的外接电路来确定，使驱动的两路输出信号不会同时为高电平。利用2SD315A驱动高功率密度：[GBT需要注意以下几点：·工作模式MOD的设置和参考电阻R.。的选择是正确使用该驱动模块的前提，需要注意在半桥工作模式下死区时间的设置以及R，.大小与功率开关管型号的匹配关系。·合适的栅极电阻R。对与IGBT的驱动非常重要。R。太大，会使IGBT通断状态变化的过渡过程时间延长，能耗增加·但R。太小，会使di／dt增大，可能引起门极电压振荡，造成触发误导通，严重时可能会损坏IGBT。通过以下公式确定R。可选择的最小值：Re(w。尝其中△u为栅极正反向偏置电压之差；I。。，为驱动电路所能提供的最大电流。·注意驱动模块与主功率开关管之间的布线。栅极驱动布线对防止潜在的振荡、减慢门极电压的上升、减少噪声损耗、降低门极电源电压或减,Pf_]极保护电路的动作次数有很大的影响。因此，应尽量减小驱动器的输出级和IGBT之间的距离，并用绞线传递驱动信号。2SD315A驱动模块设定在直接模式下，引脚MOD直接接+15V也源I参考电阻选用47kQ；栅极驱动电阻选用2Q；得到该驱动模块应用电路如图2所示。图中Sl、s2表示Eu：PEC的两只800A／1200VIGBT，图3为试验中得到的主功率开关管的驱动波形。由波形的形状和幅度可以判断出，IGBT工作正常。由图3可以看出，波形的上升、下降沿均较陡峭，从IGBT关断到开通不到1个微秒，极大的减小了开关损耗；该模块能向：[GBT提供合适的正向栅源电压，并可靠关断；这些对IGBT的正常工作均提供了重要的保证。此外，在实验中发现，为了得到更平直的正负向波形，可在模块的COMx和Visox引脚两端并联适当电容进行调整。102l}》